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参数目录42246
> PSMN009-100P,127 MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
型号:
PSMN009-100P,127
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN009-100P,127 PDF
标准包装
50
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8.8 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
156nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
8250pF @ 25V
功率 - 最大
230W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
568-5770
934057044127
PSMN009-100P
PSMN009-100P,127-ND
PSMN009-100P-ND
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